靜止式進相器是串接在電機轉子回路中，通過改變轉子電流與轉子電壓的相位關系，進而改變電機定子電流與電壓的相位關系，達到提高電機自身的功率因數(shù)和效率，提高電機過載能力、降低電機定子電流、降低電機自身損耗的目的。

進相器中可控硅是將電網中工頻50Hz電流轉為與電機轉子同頻的低頻電流的交交變頻環(huán)節(jié)主要器件?？煽毓鑼嵸|上是一個通過控制極控制導通或關斷的開關元件。

從可控硅上引出并用螺絲固定在絕緣板上的為可控硅的控制極，也稱觸發(fā)極，而接有觸發(fā)線的那個散熱器端子為可控硅的陰極。也可通過測量阻的辦法區(qū)分陰陽極。而判斷可控硅好壞的簡易辦法是測其各極間的阻值，好的可控硅各極間阻值如下：

   觸發(fā)極與陰極——幾十歐姆；

   觸發(fā)極與陽極——幾十千歐以上；

   陰極與陽極  ——幾十千歐以上。

   實際測量時，應抽出驅動板，以保證測量準確。如發(fā)現(xiàn)有四只可控硅的阻值均為零時，往往只有個別可控阻值為零，應斷開與之相連的母排，重新測量。更換可控硅時，應注意平衡鋼球位置，務必壓緊散熱器，否則易產生過熱而燒壞可控硅，更換后應再次檢測阻值。

可控硅損壞原因判斷

   當晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。

   1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。

   2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠離控制極上

   3、電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。

   4、邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。  這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。